Susceptores de Grafite
A Max Graphite fornece susceptores de grafite usinados com precisão e suportes de wafer para epitaxia de silício, epitaxia de SiC, MOCVD e processos de deposição de semicondutores compostos relacionados. Nossos susceptores são produzidos a partir de graus de grafite isostático de ultra-alta pureza e estão disponíveis com revestimentos de carboneto de silício projetados para os requisitos dimensionais e térmicos de plataformas de reatores específicas. Como fornecedor de fonte única tanto do substrato de grafite quanto do revestimento de SiC, a Max Graphite entrega componentes certificados e totalmente rastreáveis, com a consistência de fornecimento e os prazos de entrega que as operações de semicondutores de alto volume exigem.
Pureza do Grafite e Precisão Dimensional Definem a Camada Epitaxial
Na deposição epitaxial, as decisões de material no nível do susceptor se manifestam diretamente na qualidade da camada no wafer. Pureza, uniformidade dimensional e adesão do revestimento governam a distribuição de temperatura na superfície do wafer — e qualquer variação se traduz em perda de rendimento que se acumula ao longo de uma corrida de produção. Os susceptores da Max Graphite são usinados a partir de graus de grafite isostático qualificados para ambientes de processo de semicondutores, acabados com tolerâncias dimensionais rigorosas e certificados antes do envio. Nossa capacidade integrada de revestimento de SiC significa que o substrato de grafite e o revestimento são desenvolvidos e otimizados em conjunto — não adquiridos e montados independentemente sem alinhamento de processo.
- Substratos de grafite de ultra-alta pureza. Graus isostáticos qualificados com rastreabilidade total de pureza e certificação por lote entregues em cada componente.
- Consistência dimensional em todos os fatores de forma. Usinagem de alta precisão com tolerâncias apertadas para geometrias de barril, panqueca, satélite e wafer único, garantindo perfis uniformes e desempenho térmico repetível de corrida para corrida.
- Revestimento de SiC integrado interno. Revestimentos de carboneto de silício com CTE compatível aplicados sob condições de processo controladas, com homogeneidade de espessura e qualidade de superfície validadas para vida útil prolongada e resistência química.
- Fornecimento de fonte única e simplicidade de qualificação. Substrato, revestimento, limpeza e acabamento são fornecidos sob um único sistema de qualidade — reduzindo o número de fornecedores e simplificando a qualificação de componentes para equipes de compras e engenharia de processo.
- Gama multiplataforma e multitecnologia. Susceptores fornecidos para reatores de epitaxia de Si, epitaxia de SiC, MOCVD de GaN/GaAs/InP, HVPE e produção de LEDs em todas as principais plataformas OEM e configurações de reatores.
Aplicações
- Reatores de epitaxia de silício (Si) — configurações de barril, panqueca e wafer único
- Reatores de epitaxia de carboneto de silício (SiC)
- Reatores MOCVD de GaN
- Reatores MOCVD de GaAs e InP
- Nitreto de alumínio (AlN) e outros processos MOCVD de compostos III-V
- Epitaxia de fase de vapor de hidreto (HVPE)
- Equipamento para produção de wafers de LED
- Equipamento para processo de implantação iônica
Soluções de Susceptores de Grafite Max
Susceptores de Barril
A Max Graphite fabrica susceptores de barril a partir de graus de grafite isostática qualificada para reatores de epitaxia aplicada e LPE. O revestimento de SiC está disponível com tolerâncias especificadas pelo OEM e requisitos de acabamento de superfície, incluindo certificação de conformidade dimensional.
Susceptores Tipo Panqueca
Fornecemos susceptores tipo panqueca para unidades de epitaxia LPE, CSD e tipo Gemini, usinados com precisão e certificados para tolerâncias dimensionais rigorosas, com opções de revestimento adaptadas a químicas de processo e ciclos de limpeza específicos.
Susceptores de Wafer Único
Susceptores de wafer único para plataformas de reatores aplicados e tipo ASM são produzidos com as tolerâncias rigorosas exigidas na epitaxia de silício e SiC de alto volume, com rastreabilidade completa de material e dimensional, desde o grau do substrato até o componente revestido final.
Plataformas Satélite MOCVD e Suportes de Bolso
A Max Graphite fornece plataformas satélite e porta-wafers configurados com bolsos para reatores MOCVD de GaN, GaAs, InP e AlN, projetados para atender aos requisitos de geometria de rotação, profundidade do bolso e uniformidade térmica de cada plataforma de reator.
Componentes Associados para Montagem de Susceptores
- Aquecedores — configurações em meandro e de resistência para sistemas aquecidos por indução e por resistência
- Escudos térmicos e anéis de isolamento térmico
- Cadinhos de suporte e componentes de revestimento
- Anéis de foco e anéis de borda
