Graphitsuszeptoren

Graphitreinheit und Maßgenauigkeit bestimmen die Epitaxieschicht

Bei der epitaktischen Abscheidung wirken sich Materialentscheidungen auf Suszeptorebene direkt auf die Schichtqualität am Wafer aus. Reinheit, Maßgleichmäßigkeit und Beschichtungshaftung bestimmen die Temperaturverteilung auf der Waferoberfläche – und jede Abweichung führt zu Ertragsverlusten, die sich über einen Produktionslauf summieren. Die Suszeptoren von Max Graphite werden aus isostatischen Graphitsorten gefertigt, die für Halbleiterprozessumgebungen qualifiziert sind, mit höchsten Maßtoleranzen versehen und vor dem Versand zertifiziert. Unsere integrierte SiC-Beschichtungsfähigkeit bedeutet, dass das Graphitsubstrat und die Beschichtung gemeinsam entwickelt und optimiert werden – und nicht unabhängig voneinander bezogen und ohne Prozessabstimmung montiert werden.

• Ultrahochreine Graphitsubstrate. Qualifizierte isostatische Sorten mit vollständiger Reinheitsrückverfolgbarkeit und Chargenzertifizierung für jede Komponente.
• Maßhaltigkeit über alle Formfaktoren hinweg. Hochpräzise Bearbeitung mit engen Toleranzen für Barrel-, Pancake-, Satelliten- und Einzelwafer-Geometrien, die gleichmäßige Profile und eine wiederholbare thermische Leistung von Lauf zu Lauf gewährleistet.
• Integrierte SiC-Beschichtung im eigenen Haus. CTE-angepasste Siliziumkarbidbeschichtungen, unter kontrollierten Prozessbedingungen aufgetragen, mit validierter Schichtdickenhomogenität und Oberflächenqualität für eine längere Lebensdauer und chemische Beständigkeit.
• Alles aus einer Hand und einfache Qualifizierung. Substrat, Beschichtung, Reinigung und Endbearbeitung werden unter einem einzigen Qualitätssystem geliefert – was die Anzahl der Lieferanten reduziert und die Komponentenqualifizierung für Einkaufs- und Prozessentwicklungsteams optimiert.
• Plattformübergreifend und Multi-Technologie-Angebot. Suszeptoren für Si-Epitaxie, SiC-Epitaxie, GaN/GaAs/InP MOCVD, HVPE und LED-Produktionsreaktoren auf allen wichtigen OEM-Plattformen und in allen Reaktor-Konfigurationen.

Anwendungen

• Silizium (Si)-Epitaxiereaktoren – Barrel-, Pancake- und Einzelwafer-Konfigurationen
• Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxiereaktoren
• GaN MOCVD-Reaktoren
• GaAs- und InP MOCVD-Reaktoren
• Aluminiumnitrid (AlN) und andere III-V-Verbindungshalbleiter-MOCVD-Prozesse
• Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE)
• Anlagen zur LED-Waferproduktion
• Anlagen für den Ionenimplantationsprozess

Max Graphite Suszeptorlösungen

Barrel-Suszeptoren

Max Graphite fertigt Barrel-Suszeptoren aus qualifizierten isostatischen Graphitsorten für Applied- und LPE-Epitaxiereaktoren. SiC-Beschichtungen sind gemäß den vom OEM vorgegebenen Toleranzen und Oberflächenanforderungen erhältlich, inklusive Zertifizierung der Maßhaltigkeit.

Pancake-Suszeptoren

Wir liefern Pancake-Suszeptoren für LPE-, CSD- und Gemini-Epitaxieanlagen, präzisionsgefertigt und zertifiziert nach engen Maßtoleranzen, mit Beschichtungsoptionen, die auf spezifische Prozesschemikalien und Reinigungszyklen abgestimmt sind.

Single-Wafer-Suszeptoren

Single-Wafer-Suszeptoren für Applied- und ASM-Reaktorplattformen werden mit den engen Toleranzen gefertigt, die in der Silizium- und SiC-Epitaxie mit hohem Volumen erforderlich sind, mit vollständiger Material- und Maßrückverfolgbarkeit vom Substratmaterial bis zum fertigen beschichteten Bauteil.

MOCVD-Satellitenplattformen und Pocket-Waferträger

Max Graphite liefert Satellitenplattformen und Pocket-Waferträger für GaN-, GaAs-, InP- und AlN-MOCVD-Reaktoren, die auf die Rotationsgeometrie, Pockettiefe und thermische Gleichmäßigkeit jeder Reaktorplattform abgestimmt sind.

Zugehörige Suszeptor-Baugruppenkomponenten

• Heizelemente – Mäander- und Widerstandskonfigurationen für induktiv und resistiv beheizte Systeme
• Hitzeschilde und thermische Isolierringe
• Stütztiegel und Liner-Komponenten
• Fokusringe und Randringe

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