Susceptores de Grafito
Max Graphite suministra susceptores de grafito y portaobleas mecanizados de precisión para epitaxia de silicio, epitaxia de SiC, MOCVD y procesos relacionados de deposición de semiconductores compuestos. Nuestros susceptores se fabrican a partir de grados de grafito isostático de ultra alta pureza y están disponibles con recubrimientos de carburo de silicio diseñados según los requisitos dimensionales y térmicos de plataformas de reactor específicas. Como proveedor de fuente única tanto del sustrato de grafito como del recubrimiento de SiC, Max Graphite entrega componentes certificados y totalmente trazables, con la consistencia de suministro y los plazos de entrega que requieren las operaciones de semiconductores de alto volumen.
La Pureza del Grafito y la Precisión Dimensional Definen la Capa Epitaxial
En la deposición epitaxial, las decisiones de material a nivel del susceptor se manifiestan directamente en la calidad de la capa de la oblea. La pureza, la uniformidad dimensional y la adherencia del recubrimiento determinan la distribución de temperatura en la superficie de la oblea, y cualquier variación se traduce en una pérdida de rendimiento que se acumula a lo largo de una serie de producción. Los susceptores de Max Graphite se mecanizan a partir de grados de grafito isostático calificados para entornos de proceso de semiconductores, se terminan con tolerancias dimensionales exactas y se certifican antes del envío. Nuestra capacidad integrada de recubrimiento de SiC significa que el sustrato de grafito y el recubrimiento se desarrollan y optimizan conjuntamente, no se obtienen de forma independiente y se ensamblan sin alineación de proceso.
- Sustratos de grafito de ultra alta pureza. Grados isostáticos calificados con trazabilidad de pureza completa y certificación a nivel de lote entregada en cada componente.
- Consistencia dimensional en todos los formatos. Mecanizado de alta precisión con tolerancias ajustadas para geometrías de barril, panqueque, satélite y oblea única, garantizando perfiles uniformes y un rendimiento térmico repetible entre lotes.
- Recubrimiento de SiC integrado internamente. Recubrimientos de carburo de silicio con CTE ajustado, aplicados bajo condiciones de proceso controladas, con homogeneidad de espesor y calidad superficial validadas para una mayor vida de servicio y resistencia química.
- Suministro de fuente única y simplicidad de calificación. El sustrato, el recubrimiento, la limpieza y el acabado se suministran bajo un único sistema de calidad, reduciendo el número de proveedores y simplificando la calificación de componentes para los equipos de compras e ingeniería de proceso.
- Alcance multiplataforma y multitecnología. Susceptores suministrados para epitaxia de Si, epitaxia de SiC, MOCVD de GaN/GaAs/InP, HVPE y reactores de producción de LED en todas las principales plataformas OEM y configuraciones de reactor.
Aplicaciones
- Reactores de epitaxia de silicio (Si): configuraciones de barril, panqueque y oblea única
- Reactores de epitaxia de carburo de silicio (SiC)
- Reactores MOCVD de GaN
- Reactores MOCVD de GaAs e InP
- Nitruro de aluminio (AlN) y otros procesos MOCVD de compuestos III-V
- Epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE)
- Equipos de producción de obleas para LED
- Equipos de proceso de implantación de iones
Soluciones de Susceptores de Max Graphite
Susceptores de Barril
Max Graphite mecaniza susceptores de barril a partir de grados de grafito isostático calificados para reactores de epitaxia aplicada y LPE. El recubrimiento de SiC está disponible según las tolerancias y requisitos de acabado superficial especificados por el OEM, con certificación de conformidad dimensional incluida.
Susceptores de Panqueque
Suministramos susceptores de panqueque para unidades de epitaxia LPE, CSD y de tipo Gemini, mecanizados con precisión y certificados con tolerancias dimensionales ajustadas, con opciones de recubrimiento adaptadas a las químicas de proceso y ciclos de limpieza específicos.
Susceptores de Oblea Única
Los susceptores de oblea única para plataformas de reactor de tipo aplicado y ASM se fabrican con las tolerancias ajustadas que requiere la epitaxia de silicio y SiC de alto volumen, con trazabilidad completa de material y dimensiones desde el grado del sustrato hasta el componente recubierto terminado.
Plataformas Satélite MOCVD y Portadores de Bolsillo
Max Graphite suministra plataformas satélite y portadores de obleas con configuración de bolsillo para reactores MOCVD de GaN, GaAs, InP y AlN, diseñados según la geometría de rotación, la profundidad del bolsillo y los requisitos de uniformidad térmica de cada plataforma de reactor.
Componentes Asociados de Conjuntos de Susceptores
- Calefactores: configuraciones de meandro y resistivas para sistemas calentados por inducción y por resistencia
- Escudos térmicos y anillos de aislamiento térmico
- Crisoles de soporte y componentes de revestimiento
- Anillos de enfoque y anillos de borde
