Выращивание полупроводниковых кристаллов
Max Graphite поставляет прецизионно обработанные графитовые компоненты, очищенные изоляционные системы и специально разработанные углеродные материалы для печей выращивания полупроводниковых кристаллов, обеспечивая потребности в области кремния по Чохральскому, SiC PVT, сапфира и солнечной энергетики из одного квалифицированного источника.
Чистота графита определяет, каким будет кристалл
При выращивании кристаллов горячая зона — это не просто фоновая инфраструктура, а активная переменная, влияющая на качество продукта. Загрязнение от компонентов печи, непостоянное распределение тепла из-за неоднородной изоляции и изменение размеров конструктивных элементов — все это напрямую приводит к дефектам, потерям выхода продукции и затратам на повторную квалификацию. Max Graphite разрабатывает и поставляет графитовые материалы и компоненты, где чистота, однородность и точность размеров — это не просто заявления, они контролируются, проверяются и документируются на каждом этапе производства.
Области применения
- Выращивание кремния по Чохральскому (CZ)
- Производство кремния методом зонной плавки (FZ)
- Метод физического осаждения из газовой фазы (PVT) для выращивания слитков карбида кремния
- Производство порошка SiC
- Выращивание сапфира методом теплообмена (HEM)
- Выращивание кристаллов сапфира по методу Киропулоса
- Метод Степанова (EFG) для сапфира
- Производство поликристаллических и монокристаллических слитков кремния для солнечной энергетики
- Печи для производства оптического стекловолокна
- Сусцепторы для реакторов кремниевой эпитаксии и MOCVD
Решения MaxGraphite для выращивания кристаллов
Max Graphite поставляет прецизионно обработанные и специально разработанные графитовые компоненты для горячих зон всех основных типов печей для выращивания кристаллов. Каждый компонент производится под строгим контролем чистоты и доступен со специальной обработкой для конкретного применения, включая очистку, механическую обработку и покрытие SiC.
